具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610519932.6

申请日：

2016-07-05

公开(公告)号：

CN105974991A

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

万美琳顾豪爽

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220

代理人：

朱必武

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-13	授权	授权
2016-09-28	公开	公开
2021-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G05F 1/567 登记生效日:20210129 变更事项:专利权人变更前权利人:湖北大学变更后权利人:宁波富万信息科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号变更后权利人:315153 浙江省宁波市海曙区石碶街道机场路5000号（富港电商城）15幢1层6室
2016-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101684684023 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2016105199326 申请日:20160705

共 50 条

[1]

一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源 [P].

何乐年 ;

宁志华 ;

付大伟 ;

王煊 ;

徐碧野 ;

陈帅 ;

陆燕锋 ;

佀鸿伟 .

中国专利 :CN101825912B ,2010-09-08

[2]

高阶温度补偿带隙基准电压源 [P].

奚冬杰 ;

李现坤 ;

李健 .

中国专利 :CN106647916A ,2017-05-10

[3]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源 [P].

李斌 ;

陈兆权 ;

黄沫 ;

刘洋 ;

吴朝晖 ;

严耀锋 .

中国专利 :CN206892709U ,2018-01-16

[4]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源 [P].

李斌 ;

陈兆权 ;

黄沫 ;

刘洋 ;

吴朝晖 ;

严耀锋 .

中国专利 :CN106909194A ,2017-06-30

[5]

高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

白涛 ;

张瑾 ;

龙善丽 ;

吕江平 ;

武凤芹 ;

张紫乾 .

中国专利 :CN102393786B ,2012-03-28

[6]

抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源 [P].

陈计好 ;

刘刚 ;

高铭新 .

中国专利 :CN223743006U ,2025-12-30

[7]

基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

沈海峰 ;

樊婷 ;

顾俊辉 ;

张萌 ;

李红 ;

朱贾峰 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101901020A ,2010-12-01

[8]

一种高阶温度补偿的带隙电压基准源 [P].

周泽坤 ;

欧雪春 ;

朱培生 ;

石跃 ;

明鑫 ;

张波 .

中国专利 :CN102323842A ,2012-01-18

[9]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源电路 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207067835U ,2018-03-02

[10]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源电路 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107045370A ,2017-08-15

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