带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910087341.6

申请日：

2009-06-17

公开(公告)号：

CN101923366A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

范涛袁国顺

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G05F324

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	公开	公开
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035907130 IPC(主分类):G05F 3/24 专利申请号:2009100873416 申请日:20090617
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101533288A ,2009-09-16

[2]

低电压CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101630176B ,2010-01-20

[3]

带隙基准电压源 [P].

谢勇坚 ;

方永松 ;

黄建宝 ;

庄艳萍 .

中国专利 :CN214795740U ,2021-11-19

[4]

一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源 [P].

梁仁光 ;

胡胜发 .

中国专利 :CN102004516B ,2011-04-06

[5]

三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

刘帘曦 ;

黄文斌 ;

沐俊超 ;

张怡 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107300942A ,2017-10-27

[6]

宽输入带曲率补偿的带隙基准电压源 [P].

来新泉 ;

叶强 ;

马行 ;

何惠森 ;

刘晨 .

中国专利 :CN102270008A ,2011-12-07

[7]

带隙基准电压源电路和带隙基准电压源 [P].

贾晓伟 ;

邓龙利 ;

王帅旗 .

中国专利 :CN102622038A ,2012-08-01

[8]

一种带隙基准电压源 [P].

明鑫 ;

李强 ;

徐祥柱 ;

陈程 ;

周泽坤 ;

张波 .

中国专利 :CN102385407A ,2012-03-21

[9]

一种带隙基准电压源 [P].

明鑫 ;

李强 ;

徐祥柱 ;

陈程 ;

周泽坤 ;

张波 .

中国专利 :CN202257344U ,2012-05-30

[10]

一种CMOS带隙基准电压源 [P].

刘明 ;

张君宇 ;

张满红 ;

霍宗亮 ;

谢常青 ;

潘立阳 ;

陈映平 ;

刘阿鑫 .

中国专利 :CN102890526A ,2013-01-23

← 1 2 3 4 5 →