制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510003870.5

申请日：

2005-01-19

公开(公告)号：

CN1674236A

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

林泰政朴相昱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21311 C23F114

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-28	公开	公开
2015-03-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101601604309 IPC(主分类):H01L 21/306 专利号:ZL2005100038705 申请日:20050119 授权公告日:20080102 终止日期:20140119
2008-01-02	授权	授权
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

郑明俊 .

中国专利 :CN1170958A ,1998-01-21

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

朴哲焕 ;

禹相浩 ;

宋昌录 ;

朴东洙 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1319151C ,2005-05-04

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

任晟爀 .

中国专利 :CN1967782A ,2007-05-23

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

朴相昱 ;

李承澈 .

中国专利 :CN100355041C ,2005-07-13

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

平井健裕 ;

田中光男 ;

堀敦 ;

下村浩 ;

堀川良彦 .

中国专利 :CN1171626A ,1998-01-28

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

郑熙炖 .

中国专利 :CN101609816A ,2009-12-23

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

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