半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410063965.1

申请日：

2004-06-30

公开(公告)号：

CN1319151C

公开(公告)日：

2005-05-04

发明(设计)人：

朴哲焕禹相浩宋昌录朴东洙李泰赫

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218242 H01L21336 H01L21322 H01L21324

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元;赵仁临

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-05-04	公开	公开
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584487795 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2004100639651 申请日:20040630 授权公告日:20070530 终止日期:20130630
2005-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

赵挥元 ;

洪承希 ;

金奭中 ;

郑哲谟 .

中国专利 :CN101097887A ,2008-01-02

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1447420A ,2003-10-08

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

郑冲耕 .

中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

林泰政 ;

朴相昱 .

中国专利 :CN1674236A ,2005-09-28

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

金原圭 ;

郑台愚 ;

申昶希 .

中国专利 :CN102110637A ,2011-06-29

[7]

制造半导体器件的装置以及用其制造半导体器件的方法 [P].

金大荣 .

中国专利 :CN101136317A ,2008-03-05

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

明台勋 ;

郑载勋 ;

金锡勋 ;

益冈有里 ;

洪秀宪 ;

金旻怡 ;

申宇胜 ;

李尚炫 ;

郑东灿 .

韩国专利 :CN120076398A ,2025-05-30

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

雅各布·泰施里布 ;

法尔克-乌尔里希·施泰因 ;

奥尔里克·舒马赫 .

:CN119767743A ,2025-04-04

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