半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611082510.3

申请日：

2016-11-30

公开(公告)号：

CN108122842A

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	公开	公开
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20161130
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20180605

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

宋雷 .

中国专利 :CN105789038A ,2016-07-20

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

盛丽萍 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN119521711A ,2025-02-25

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

张金福 ;

任堃 ;

綦殿禹 ;

高大为 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN119095380A ,2024-12-06

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯威 ;

张伟 ;

孔祥飞 .

中国专利 :CN119233637A ,2024-12-31

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨鹏飞 .

中国专利 :CN115472694A ,2022-12-13

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109860291B ,2019-06-07

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨鹏飞 .

中国专利 :CN115472694B ,2025-11-04

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

李智 ;

侯艳红 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN117672858A ,2024-03-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

宋春 .

中国专利 :CN115692307A ,2023-02-03

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