一种掺钛的纳米氧化钨负极材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710024502.1
申请日
2017-01-13
公开(公告)号
CN106611847B
公开(公告)日
2017-05-03
发明(设计)人
张正富 刘警峰 易健宏 王立丽 吴天涯
申请人
申请人地址
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号
H01M448
IPC分类号
H01M100525 C01G4102 B82Y3000
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
一种掺钴的纳米氧化钨负极材料的制备方法 [P]. 
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[2]
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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余钱红 ;
牟婉君 ;
蹇源 ;
李兴亮 ;
马宗平 ;
李梅 ;
魏洪源 ;
刘国平 ;
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谢翔 ;
唐惠 ;
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[7]
一种铬与银双金属掺杂纳米氧化钨@多孔炭负极材料的制备方法 [P]. 
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易健宏 ;
任艳昆 ;
王梓 ;
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[8]
一种高纯纳米氧化钨及其制备方法、电极材料和电池 [P]. 
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[9]
三氧化钨纳米材料的制备方法 [P]. 
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[10]
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