基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520830381.6

申请日：

2015-10-23

公开(公告)号：

CN205192667U

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

张加宏杨敏葛益娴赵阳

申请人：

申请人地址：

210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

B82Y4000 B82Y1500

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

董建林;母秋松

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L 1/18 申请日:20151023 授权公告日:20160427 终止日期:20171023
2016-04-27	授权	授权

共 50 条

[1]

基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构 [P].

张加宏 ;

杨敏 ;

葛益娴 ;

赵阳 .

中国专利 :CN105181189B ,2015-12-23

[2]

硅压阻式压力传感器封装结构 [P].

王毅 ;

王军 ;

张孔欣 .

中国专利 :CN208399071U ,2019-01-18

[3]

浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法 [P].

张明亮 ;

季安 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN108147361A ,2018-06-12

[4]

一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构 [P].

王跃林 ;

吴燕红 ;

熊斌 ;

王东平 .

中国专利 :CN100587430C ,2008-09-24

[5]

硅压力传感器的封装结构 [P].

周敬训 ;

沈蓉蓉 ;

常军 ;

郑金荣 ;

王智 .

中国专利 :CN201680940U ,2010-12-22

[6]

法兰结构的硅压阻式压力传感器 [P].

赵建立 ;

黄标 ;

佘德群 ;

高峰 ;

李维平 .

中国专利 :CN2539161Y ,2003-03-05

[7]

纳米线巨压阻特性测量装置 [P].

张加宏 ;

赵阳 ;

李敏 ;

杨敏 .

中国专利 :CN205193157U ,2016-04-27

[8]

一种硅压阻式压力传感器封装结构 [P].

熊斌 ;

王跃林 .

中国专利 :CN101846569A ,2010-09-29

[9]

抑制硅纳米线巨压阻传感器灵敏度热漂移和噪声的装置 [P].

张加宏 ;

姚佳慧 ;

葛益娴 ;

冒晓莉 ;

顾芳 ;

吴雨生 .

中国专利 :CN203824695U ,2014-09-10

[10]

熔溶封装压阻式压力传感器 [P].

朱胜志 ;

朱乐 ;

田锋 .

中国专利 :CN201795888U ,2011-04-13

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