基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010439352.2

申请日：

2020-05-22

公开(公告)号：

CN111555652A

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

原熙博李炎张永磊张雷徐一埔叶飞李哲李耀华王子建

申请人：

申请人地址：

221116 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学科研院

IPC主分类号：

H02M75387

IPC分类号：

H02M7493 H02M1092 H02M132 H02M700 H05K720

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

李悦声

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 7/5387 申请日:20200522
2020-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高功率密度的碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN115706098A ,2023-02-17

[2]

具有高功率密度的碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216288440U ,2022-04-12

[3]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN203746828U ,2014-07-30

[4]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN103794578A ,2014-05-14

[5]

一种高频高功率密度的碳化硅模块 [P].

曹亢 ;

苗亚 ;

胡金杭 ;

王起亮 ;

王洋洋 ;

雍定涛 .

中国专利 :CN220964670U ,2024-05-14

[6]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216250721U ,2022-04-08

[7]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN115706097A ,2023-02-17

[8]

LED光源模块（陶瓷大功率高功率密度） [P].

杜元宝 ;

张耀华 ;

王国君 ;

陈复生 ;

张庆豪 .

中国专利 :CN308500708S ,2024-03-08

[9]

一种基于碳化硅器件的大功率模块化变流器 [P].

李潮刚 ;

兰晓飞 ;

李志业 .

中国专利 :CN222897186U ,2025-05-23

[10]

一种用于大功率变流器的高功率密度散热板 [P].

尹子栋 ;

陈欢 .

中国专利 :CN211604061U ,2020-09-29

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