多芯片并联大功率碳化硅模块

被引：0

申请号：

CN202111421241.X

申请日：

2021-11-26

公开(公告)号：

CN115706097A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

李雯钰毛赛君

申请人：

申请人地址：

215200 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L29423 H02M100

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216250721U ,2022-04-08

[2]

一种用于多芯片并联大功率碳化硅模块的防护结构 [P].

赵小俊 ;

陈春波 ;

马欢 .

中国专利 :CN221226217U ,2024-06-25

[3]

具有高功率密度的碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN115706098A ,2023-02-17

[4]

具有高功率密度的碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216288440U ,2022-04-12

[5]

一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块 [P].

陈材 ;

郭心悦 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN215008224U ,2021-12-03

[6]

一种多芯片并联碳化硅模块 [P].

张强 ;

周宣 ;

高荣强 ;

叶永生 .

中国专利 :CN221977931U ,2024-11-08

[7]

车用多芯片并联碳化硅功率模块 [P].

马荣耀 ;

邵志峰 ;

唐开锋 ;

张新 ;

丁继 ;

刘洋 ;

潘效飞 ;

邓旻熙 ;

杨治宇 ;

梁钰茜 ;

孙鹏 ;

曾正 .

中国专利 :CN117936493A ,2024-04-26

[8]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

李有财 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 ;

刘公毅 .

中国专利 :CN218276504U ,2023-01-10

[9]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

汤慈全 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 .

中国专利 :CN115360927A ,2022-11-18

[10]

一种多芯片并联的半桥型碳化硅功率模块 [P].

陈材 ;

郭心悦 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN113488460A ,2021-10-08

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