一种用于多芯片并联大功率碳化硅模块的防护结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322573427.8

申请日：

2023-09-21

公开(公告)号：

CN221226217U

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

赵小俊陈春波马欢

申请人：

深圳长联半导体技术有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意公园5栋A座2011

IPC主分类号：

H01L23/467

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/40

代理机构：

广东政道慧权专利代理事务所(普通合伙) 44775

代理人：

徐珊珊

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216250721U ,2022-04-08

[2]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN115706097A ,2023-02-17

[3]

一种多芯片并联碳化硅模块 [P].

张强 ;

周宣 ;

高荣强 ;

叶永生 .

中国专利 :CN221977931U ,2024-11-08

[4]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

李有财 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 ;

刘公毅 .

中国专利 :CN218276504U ,2023-01-10

[5]

一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构 [P].

刘彤 ;

梁琳 ;

杨炜俊 ;

严宇浩 .

中国专利 :CN223230345U ,2025-08-15

[6]

一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块 [P].

陈材 ;

郭心悦 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN215008224U ,2021-12-03

[7]

车用多芯片并联碳化硅功率模块 [P].

马荣耀 ;

邵志峰 ;

唐开锋 ;

张新 ;

丁继 ;

刘洋 ;

潘效飞 ;

邓旻熙 ;

杨治宇 ;

梁钰茜 ;

孙鹏 ;

曾正 .

中国专利 :CN117936493A ,2024-04-26

[8]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

汤慈全 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 .

中国专利 :CN115360927A ,2022-11-18

[9]

一种多碳化硅芯片并联的模块 [P].

庄伟东 ;

成浩 ;

赵冲 .

中国专利 :CN113764358A ,2021-12-07

[10]

一种多芯片并联的半桥型碳化硅功率模块 [P].

陈材 ;

郭心悦 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN113488460A ,2021-10-08

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