一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器

被引：0

申请号：

CN202210953501.6

申请日：

2022-08-10

公开(公告)号：

CN115360927A

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

汤慈全叶跃明欧立春杨澄黄桂登江应平

申请人：

申请人地址：

350000 福建省福州市马尾区快安马江大道石狮路6号1-4#楼

IPC主分类号：

H02M75387

IPC分类号：

H05K720

代理机构：

福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212

代理人：

吴学林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 7/5387 申请日:20220810
2022-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

李有财 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 ;

刘公毅 .

中国专利 :CN218276504U ,2023-01-10

[2]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN216250721U ,2022-04-08

[3]

多芯片并联大功率碳化硅模块 [P].

李雯钰 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN115706097A ,2023-02-17

[4]

一种基于碳化硅MOSFET的大功率三相逆变器 [P].

施濠泷 .

中国专利 :CN213585603U ,2021-06-29

[5]

一种基于碳化硅MOSFET高开关频率逆变器 [P].

袁维超 ;

李俊扬 .

中国专利 :CN120237973A ,2025-07-01

[6]

基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器 [P].

柴艳鹏 ;

高胜利 ;

李亚斌 ;

王玉杰 ;

武敏智 .

中国专利 :CN105141162A ,2015-12-09

[7]

基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构 [P].

原熙博 ;

李炎 ;

张永磊 ;

张雷 ;

徐一埔 ;

叶飞 ;

李哲 ;

李耀华 ;

王子建 .

中国专利 :CN111555652A ,2020-08-18

[8]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN203746828U ,2014-07-30

[9]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN103794578A ,2014-05-14

[10]

一种用于多芯片并联大功率碳化硅模块的防护结构 [P].

赵小俊 ;

陈春波 ;

马欢 .

中国专利 :CN221226217U ,2024-06-25

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