一种基于碳化硅MOSFET的大功率三相逆变器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022401871.8

申请日：

2020-10-26

公开(公告)号：

CN213585603U

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

施濠泷

申请人：

申请人地址：

210031 江苏省南京市江北新区柳州北路22号

IPC主分类号：

H02M75387

IPC分类号：

H02M75395

代理机构：

北京华际知识产权代理有限公司 11676

代理人：

王超

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

李有财 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 ;

刘公毅 .

中国专利 :CN218276504U ,2023-01-10

[2]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

汤慈全 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 .

中国专利 :CN115360927A ,2022-11-18

[3]

一种基于碳化硅MOS管的三相电机逆变器 [P].

王文强 ;

王壮 ;

王颢雄 ;

郭东仑 ;

王坤 .

中国专利 :CN216566065U ,2022-05-17

[4]

大功率三相并网逆变器 [P].

彭景生 .

中国专利 :CN202931218U ,2013-05-08

[5]

基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器 [P].

柴艳鹏 ;

高胜利 ;

李亚斌 ;

王玉杰 ;

武敏智 .

中国专利 :CN105141162A ,2015-12-09

[6]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN203746828U ,2014-07-30

[7]

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 [P].

刘志宏 .

中国专利 :CN103794578A ,2014-05-14

[8]

一种焊割电源上基于碳化硅MOSFET的大功率逆变板 [P].

毛世新 ;

徐圣新 ;

范国强 ;

薛国如 ;

王洛依 ;

刘成海 ;

李娜 ;

郑阳 .

中国专利 :CN222839577U ,2025-05-06

[9]

大功率三相逆变器的直流母线连接结构 [P].

顾锦筛 .

中国专利 :CN101425742B ,2009-05-06

[10]

一种基于碳化硅器件的大功率模块化变流器 [P].

李潮刚 ;

兰晓飞 ;

李志业 .

中国专利 :CN222897186U ,2025-05-23

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