一种基于碳化硅MOSFET高开关频率逆变器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510333917.1

申请日：

2025-03-20

公开(公告)号：

CN120237973A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

袁维超李俊扬

申请人：

核工业理化工程研究院

申请人地址：

300180 天津市河东区津塘路168号

IPC主分类号：

H02M7/5387

IPC分类号：

代理机构：

北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718

代理人：

张梦龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 7/5387申请日:20250320
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

李有财 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 ;

刘公毅 .

中国专利 :CN218276504U ,2023-01-10

[2]

一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器 [P].

汤慈全 ;

叶跃明 ;

欧立春 ;

杨澄 ;

黄桂登 ;

江应平 .

中国专利 :CN115360927A ,2022-11-18

[3]

基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器 [P].

柴艳鹏 ;

高胜利 ;

李亚斌 ;

王玉杰 ;

武敏智 .

中国专利 :CN105141162A ,2015-12-09

[4]

碳化硅组串逆变器 [P].

马聚坤 ;

王静辉 ;

刘忠山 ;

曹彦欣 .

中国专利 :CN211508635U ,2020-09-15

[5]

一种基于碳化硅MOSFET的单相光伏并网逆变器 [P].

刘进平 ;

郝文清 ;

魏红亮 ;

刘娟娟 ;

曹兴 ;

张宇 ;

高欣 ;

胡昊 ;

郑鑫 ;

宋艳 ;

耿新宇 .

中国专利 :CN212012494U ,2020-11-24

[6]

抑制高开关频率碳化硅逆变器低频谐波的双载波调制方法 [P].

严庆增 ;

肖浪涛 ;

孙鹏霄 ;

赵仁德 ;

徐海亮 .

中国专利 :CN111277124A ,2020-06-12

[7]

用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件 [P].

李臣 ;

柴艳鹏 ;

常丽凯 ;

高海鹏 ;

崔改冰 .

中国专利 :CN105305787B ,2016-02-03

[8]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[9]

基于碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

李艳 ;

梁美 ;

郑琼林 ;

郝瑞祥 ;

李虹 ;

林飞 ;

游小杰 .

中国专利 :CN106100297A ,2016-11-09

[10]

一种碳化硅MOSFET [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN223040477U ,2025-06-27

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