用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510695059.1

申请日：

2015-10-22

公开(公告)号：

CN105305787B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

李臣柴艳鹏常丽凯高海鹏崔改冰

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市高新区北三环5999号

IPC主分类号：

H02M1088

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-27	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H02M 1/088 变更事项:发明人变更前:李亚斌李臣柴艳鹏王飞张克斌变更后:李臣柴艳鹏常丽凯高海鹏崔改冰
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101649089757 IPC(主分类):H02M 1/088 专利申请号:2015106950591 申请日:20151022
2016-02-03	公开	公开
2018-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[2]

基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器 [P].

柴艳鹏 ;

高胜利 ;

李亚斌 ;

王玉杰 ;

武敏智 .

中国专利 :CN105141162A ,2015-12-09

[3]

基于碳化硅MOSFET的驱动电路 [P].

李艳 ;

梁美 ;

郑琼林 ;

郝瑞祥 ;

李虹 ;

林飞 ;

游小杰 .

中国专利 :CN106100297A ,2016-11-09

[4]

一种碳化硅MOSFET的栅极驱动器 [P].

赵文祥 ;

黄林森 ;

杜育轩 ;

邱先群 ;

晋世博 ;

王恒 ;

吉敬华 .

中国专利 :CN110661515A ,2020-01-07

[5]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[7]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[8]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN114826234A ,2022-07-29

[9]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN218006226U ,2022-12-09

[10]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786679A ,2021-05-11

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