半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910207049.3
申请日
2009-10-27
公开(公告)号
CN101728471A
公开(公告)日
2010-06-09
发明(设计)人
丁焕熙
申请人
申请人地址
韩国首尔
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3344 H01L3362
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
顾晋伟;王春伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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半导体发光器件 [P]. 
郑畴溶 .
中国专利 :CN103441199B ,2013-12-11
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金省均 .
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