3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610825802.5

申请日：

2016-09-14

公开(公告)号：

CN106158553B

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

张跃罗宝和廖庆亮赵璇丁一冯世安

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

皋吉甫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692517406 IPC(主分类):H01J 1/304 专利申请号:2016108258025 申请日:20160914
2018-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

石墨烯场发射阴极制备方法及石墨烯场发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104217907A ,2014-12-17

[2]

一种基于石墨烯/超材料复合纳米结构的场发射阴极及制备方法 [P].

徐季 ;

史永佼 ;

张晓兵 .

中国专利 :CN111180292A ,2020-05-19

[3]

GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法 [P].

崔真 ;

王霞 ;

赵娜娜 ;

李恩玲 ;

王少强 .

中国专利 :CN109830413A ,2019-05-31

[4]

石墨烯的制备方法及二维纳米材料的剥离方法 [P].

郭玉芬 ;

刘朝军 ;

张慧涛 ;

刘兆平 ;

周旭峰 .

中国专利 :CN110255549B ,2019-09-20

[5]

基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的发射阴极及其制备 [P].

郭太良 ;

李福山 ;

吴朝兴 ;

叶芸 ;

张永爱 .

中国专利 :CN102157315B ,2011-08-17

[6]

一种场发射阴极用石墨烯及其制备方法 [P].

许坤 ;

王钥萱 ;

曾凡光 ;

段肖楠 ;

庞雨桐 ;

李文成 ;

赵丙灿 .

中国专利 :CN119797343A ,2025-04-11

[7]

一维纳米复合材料的制备方法 [P].

耿保友 ;

王倩 ;

桑艳 .

中国专利 :CN101537353B ,2009-09-23

[8]

制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法 [P].

倪振华 ;

詹达 ;

申泽骧 ;

丁荣 .

中国专利 :CN102120574A ,2011-07-13

[9]

一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法 [P].

邓少芝 ;

赵鹏 ;

张宇 .

中国专利 :CN111261473B ,2020-06-09

[10]

一种石墨烯二维纳米材料复合的防腐防水涂层 [P].

于建强 ;

吕世宁 ;

王连国 ;

宁浩 ;

曲媛媛 ;

蔡任娜 ;

姜耀青 ;

乔玉香 ;

姜巧慧 .

中国专利 :CN118206890A ,2024-06-18

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