一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010241224.7

申请日：

2020-03-31

公开(公告)号：

CN111261473B

公开(公告)日：

2020-06-09

发明(设计)人：

邓少芝赵鹏张宇

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

H01J1304 B82Y4000

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

林丽明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	授权	授权
2020-06-09	公开	公开
2020-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20200331

共 50 条

[1]

单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 [P].

杨海方 ;

刘立伟 ;

金爱子 ;

顾长志 ;

吕力 .

中国专利 :CN100437120C ,2006-05-31

[2]

单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法 [P].

杨海方 ;

刘立伟 ;

金爱子 ;

顾长志 ;

吕力 .

中国专利 :CN1603807A ,2005-04-06

[3]

一种三维纳米结构制作方法 [P].

陶虎 ;

秦楠 .

中国专利 :CN114660900A ,2022-06-24

[4]

一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法 [P].

付新 ;

杜志伟 .

中国专利 :CN106841257A ,2017-06-13

[5]

一种场发射冷阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN106653520B ,2017-05-10

[6]

3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法 [P].

张跃 ;

罗宝和 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

丁一 ;

冯世安 .

中国专利 :CN106158553B ,2016-11-23

[7]

一种场发射冷阴极结构及其制造方法 [P].

邓少芝 ;

张维明 ;

张宇 .

中国专利 :CN111293013A ,2020-06-16

[8]

可印制的纳米材料冷阴极浆料及其场发射冷阴极的制备方法和应用 [P].

许宁生 ;

任豪 ;

邓少芝 ;

陈军 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN1674192A ,2005-09-28

[9]

基于一维纳米材料的光致场发射解调器 [P].

汪小知 ;

李鹏 .

中国专利 :CN102136521A ,2011-07-27

[10]

一种用于单根一维纳米材料焊接的助焊料及其焊接方法 [P].

金震 .

中国专利 :CN103706959A ,2014-04-09

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