单根一维纳米材料的测试电极的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410091205.1

申请日：

2004-11-17

公开(公告)号：

CN100437120C

公开(公告)日：

2006-05-31

发明(设计)人：

杨海方刘立伟金爱子顾长志吕力

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

G01R106

IPC分类号：

H05K306

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101382117784 IPC(主分类):G01R 1/06 专利号:ZL2004100912051 申请日:20041117 授权公告日:20081126 终止日期:20111117
2006-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-31	公开	公开
2008-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法 [P].

杨海方 ;

刘立伟 ;

金爱子 ;

顾长志 ;

吕力 .

中国专利 :CN1603807A ,2005-04-06

[2]

一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法 [P].

邓少芝 ;

赵鹏 ;

张宇 .

中国专利 :CN111261473B ,2020-06-09

[3]

一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法 [P].

付新 ;

杜志伟 .

中国专利 :CN106841257A ,2017-06-13

[4]

机械剪切一维纳米材料的方法 [P].

张亚非 ;

刘丽月 .

中国专利 :CN1974020A ,2007-06-06

[5]

一维纳米材料的制备方法 [P].

章桥新 ;

张佳明 .

中国专利 :CN101126165B ,2008-02-20

[6]

一维纳米材料植入金属电极表面的方法 [P].

丁桂甫 ;

邓敏 ;

王艳 ;

崔雪梅 .

中国专利 :CN101880025B ,2010-11-10

[7]

原位组装一维纳米材料的装置 [P].

朱振兴 ;

魏飞 .

中国专利 :CN206751386U ,2017-12-15

[8]

分离纳米材料及制作纳米电极的方法 [P].

李无瑕 ;

顾长志 .

中国专利 :CN101823687A ,2010-09-08

[9]

原位组装一维纳米材料的方法和装置 [P].

朱振兴 ;

魏飞 ;

白云祥 .

中国专利 :CN107337177B ,2017-11-10

[10]

实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法 [P].

于永强 ;

蒋阳 ;

揭建胜 ;

吴春艳 ;

王莉 ;

朱志峰 .

中国专利 :CN102544075A ,2012-07-04

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