基于一维纳米材料的光致场发射解调器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110040680.6
申请日
2011-02-20
公开(公告)号
CN102136521A
公开(公告)日
2011-07-27
发明(设计)人
汪小知 李鹏
申请人
申请人地址
410004 湖南省长沙市天心区五凌路169号天一康园C1-502
IPC主分类号
H01L3112
IPC分类号
H01L310224 H04B10158
代理机构
南京知识律师事务所 32207
代理人
汪旭东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一维纳米材料的制备方法 [P]. 
章桥新 ;
张佳明 .
中国专利 :CN101126165B ,2008-02-20
[2]
基于一维纳米材料的光电转换器件 [P]. 
张亚非 ;
陈长鑫 ;
刘丽月 .
中国专利 :CN101022137A ,2007-08-22
[3]
基于一维纳米材料的光电转换器件 [P]. 
杜银霄 ;
许坤 ;
刘林 ;
王强 ;
杨鹏 ;
张新月 .
中国专利 :CN110690857A ,2020-01-14
[4]
一种基于一维纳米材料的探测方法 [P]. 
杨丰 ;
周维亚 ;
王艳春 ;
解思深 .
中国专利 :CN108956577B ,2018-12-07
[5]
机械剪切一维纳米材料的方法 [P]. 
张亚非 ;
刘丽月 .
中国专利 :CN1974020A ,2007-06-06
[6]
原位组装一维纳米材料的装置 [P]. 
朱振兴 ;
魏飞 .
中国专利 :CN206751386U ,2017-12-15
[7]
一种基于电致发热效应的一维纳米材料的焊接方法 [P]. 
金震 .
中国专利 :CN103624388A ,2014-03-12
[8]
一种单根一维纳米材料光致荧光角度分辨测量系统 [P]. 
高旻 ;
程睿 ;
李文亮 .
中国专利 :CN101672783A ,2010-03-17
[9]
一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法 [P]. 
李镇江 ;
宋冠英 ;
段振亚 ;
李伟东 ;
孟阿兰 .
中国专利 :CN104867799A ,2015-08-26
[10]
基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法 [P]. 
侯中宇 ;
张亚非 ;
蔡炳初 ;
徐东 ;
魏星 .
中国专利 :CN1793892A ,2006-06-28