一种单根一维纳米材料光致荧光角度分辨测量系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910235520.X

申请日：

2009-09-29

公开(公告)号：

CN101672783A

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

高旻程睿李文亮

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙）

代理人：

俞达成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001373399 IPC(主分类):G01N 21/64 专利申请号:200910235520X 申请日:20090929
2012-04-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101315521125 IPC(主分类):G01N 21/64 专利申请号:200910235520X 公开日:20100317
2010-03-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法 [P].

付新 ;

杜志伟 .

中国专利 :CN106841257A ,2017-06-13

[2]

单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置 [P].

赵建林 ;

尚武云 ;

姜碧强 ;

肖发俊 .

中国专利 :CN105424617A ,2016-03-23

[3]

单根一维纳米材料的测试电极的制作方法 [P].

杨海方 ;

刘立伟 ;

金爱子 ;

顾长志 ;

吕力 .

中国专利 :CN100437120C ,2006-05-31

[4]

单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法 [P].

杨海方 ;

刘立伟 ;

金爱子 ;

顾长志 ;

吕力 .

中国专利 :CN1603807A ,2005-04-06

[5]

基于一维纳米材料的光致场发射解调器 [P].

汪小知 ;

李鹏 .

中国专利 :CN102136521A ,2011-07-27

[6]

一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统 [P].

许胜勇 ;

高亦斌 ;

王俊逸 ;

王烨 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN101354388B ,2009-01-28

[7]

一种用于单根一维纳米材料焊接的助焊料及其焊接方法 [P].

金震 .

中国专利 :CN103706959A ,2014-04-09

[8]

一维纳米材料的制备方法 [P].

章桥新 ;

张佳明 .

中国专利 :CN101126165B ,2008-02-20

[9]

一种一维纳米材料的观测方法 [P].

武文赟 ;

李东琦 ;

张金 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN109425591A ,2019-03-05

[10]

一种一维纳米材料的观测装置 [P].

武文赟 ;

李东琦 ;

张金 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN109425592B ,2019-03-05

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