制造晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980029913.7

申请日：

2019-04-03

公开(公告)号：

CN112074932A

公开(公告)日：

2020-12-11

发明(设计)人：

A·阿里胡炳华 S·L·希尔伯恩 S·W·杰森 R·珍 J·B·雅各布斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	公开	公开
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20190403

共 50 条

[1]

晶体管和晶体管的制造方法 [P].

辻幸洋 .

日本专利 :CN118693041A ,2024-09-24

[2]

晶体管以及制造晶体管的方法 [P].

V·S·巴斯克 ;

省吾望月 ;

山下典洪 ;

叶俊呈 .

中国专利 :CN104217962A ,2014-12-17

[3]

改进的晶体管器件及其制造方法 [P].

约翰·C·阿诺德 ;

华雪峰 ;

兰加拉詹·贾根纳森 ;

斯蒂芬·施米茨 .

中国专利 :CN101819936A ,2010-09-01

[4]

制造沟槽晶体管的方法及相应的沟槽晶体管 [P].

R·卢伊坎 ;

H·－P·莫尔 ;

M·波普 ;

T·施洛瑟 ;

M·斯特拉瑟 ;

R·韦斯 .

中国专利 :CN1941300A ,2007-04-04

[5]

制造晶体管的方法 [P].

金凤吉 .

中国专利 :CN101471263B ,2009-07-01

[6]

晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101567319A ,2009-10-28

[7]

晶体管的制造方法 [P].

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN102257621B ,2011-11-23

[8]

晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101567318A ,2009-10-28

[9]

包括LDMOS 晶体管的半导体器件及其制造方法和LDMOS 晶体管 [P].

赫尔穆特·布雷赫 ;

阿尔贝特·比尔纳 ;

米夏埃拉·布朗恩 ;

扬·罗波尔 ;

马西亚斯·齐格尔德鲁姆 .

中国专利 :CN107546204A ,2018-01-05

[10]

晶体管的制造方法 [P].

毛刚 ;

叶好华 .

中国专利 :CN105590861A ,2016-05-18

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