溅射沉积源、溅射沉积设备和为溅射沉积源供电的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980095031.0

申请日：

2019-04-03

公开(公告)号：

CN113661558A

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

约阿希姆·松嫩申威利·绍尔丹尼尔·谢弗-科皮托托拜西·伯格曼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01J3734

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	公开	公开
2022-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20190403

共 50 条

[1]

溅射沉积源、溅射沉积设备和为溅射沉积源供电的方法 [P].

约阿希姆·松嫩申 ;

威利·绍尔 ;

丹尼尔·谢弗-科皮托 ;

托拜西·伯格曼 .

美国专利 :CN113661558B ,2024-02-06

[2]

溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法 [P].

拉尔夫·林登贝格 ;

沃尔夫冈·布什贝克 ;

德烈亚斯·勒普 .

中国专利 :CN109314035B ,2019-02-05

[3]

用于溅射沉积的沉积源和溅射装置 [P].

弗兰克·施纳朋伯杰 .

中国专利 :CN208741937U ,2019-04-16

[4]

用于溅射沉积的沉积源和真空沉积设备 [P].

弗兰克·施纳朋伯杰 ;

托马斯·德皮施 .

中国专利 :CN208400806U ,2019-01-18

[5]

溅射沉积设备及溅射沉积方法 [P].

李卫民 ;

吴挺俊 ;

陈玲丽 ;

朱宇波 ;

朱雷 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113862624A ,2021-12-31

[6]

溅射沉积工艺及溅射沉积设备 [P].

白志民 ;

李强 ;

张彦召 ;

刘建生 ;

王厚工 ;

丁培军 .

中国专利 :CN106811726A ,2017-06-09

[7]

溅射沉积源、溅射装置及其操作方法 [P].

德烈亚斯·勒普 .

中国专利 :CN107636195A ,2018-01-26

[8]

溅射沉积 [P].

M.伦达尔 ;

R.格鲁尔 .

英国专利 :CN114902371B ,2025-04-29

[9]

溅射沉积 [P].

M.伦德尔 .

中国专利 :CN114930496A ,2022-08-19

[10]

溅射沉积 [P].

M.伦达尔 ;

R.格鲁尔 .

中国专利 :CN114902371A ,2022-08-12

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