用于溅射沉积的沉积源和真空沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201590001572.X

申请日：

2015-07-24

公开(公告)号：

CN208400806U

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

弗兰克·施纳朋伯杰托马斯·德皮施

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3734

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	授权	授权
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/34 申请日:20150724 授权公告日:20190118 终止日期:20200724

共 50 条

[1]

用于溅射沉积的沉积源和溅射装置 [P].

弗兰克·施纳朋伯杰 .

中国专利 :CN208741937U ,2019-04-16

[2]

溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法 [P].

拉尔夫·林登贝格 ;

沃尔夫冈·布什贝克 ;

德烈亚斯·勒普 .

中国专利 :CN109314035B ,2019-02-05

[3]

溅射沉积源、溅射沉积设备和为溅射沉积源供电的方法 [P].

约阿希姆·松嫩申 ;

威利·绍尔 ;

丹尼尔·谢弗-科皮托 ;

托拜西·伯格曼 .

中国专利 :CN113661558A ,2021-11-16

[4]

溅射沉积源、溅射沉积设备和为溅射沉积源供电的方法 [P].

约阿希姆·松嫩申 ;

威利·绍尔 ;

丹尼尔·谢弗-科皮托 ;

托拜西·伯格曼 .

美国专利 :CN113661558B ,2024-02-06

[5]

一种溅射沉积组件、沉积室、真空沉积设备 [P].

黎焕明 ;

毕飞飞 ;

李骁博 ;

姜天豪 ;

胡鹏 ;

蓝树槐 .

中国专利 :CN115928029B ,2025-06-24

[6]

真空沉积设备和用于真空沉积的方法 [P].

韩政洹 .

中国专利 :CN104278232A ,2015-01-14

[7]

用于溅射沉积的方法和设备 [P].

M.伦达尔 .

英国专利 :CN114930489B ,2025-08-12

[8]

用于溅射沉积的方法和设备 [P].

M.伦达尔 .

中国专利 :CN114930489A ,2022-08-19

[9]

射频(RF)–溅射沉积源、沉积设备及其组装方法 [P].

S·凯勒 ;

U·舒斯勒 ;

D·哈斯 ;

S·邦格特 .

中国专利 :CN105706212A ,2016-06-22

[10]

用于溅射沉积的阴极组件、沉积设备和方法 [P].

莱内尔·欣特舒斯特 ;

安科·赫尔密西 ;

罗兰·韦伯 ;

洛克莎·雷迪 ;

萨西卡马尔·山木甘 .

美国专利 :CN118401696A ,2024-07-26

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