一种结势垒肖特基功率器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202121489094.5
申请日
2021-06-30
公开(公告)号
CN215527734U
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
刘扬 张琦
申请人
申请人地址
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906
代理机构
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
王晓玲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
结势垒肖特基器件和结势垒肖特基装置 [P]. 
S·拉斯库纳 ;
G·贝洛基 ;
M·桑托罗 .
中国专利 :CN217405436U ,2022-09-09
[2]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN216793695U ,2022-06-21
[3]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN216793696U ,2022-06-21
[4]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN114400257B ,2025-06-06
[5]
大功率肖特基势垒器件 [P]. 
徐吉程 ;
毛振东 ;
薛璐 .
中国专利 :CN203983294U ,2014-12-03
[6]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118318310A ,2024-07-09
[7]
一种SiC结势垒肖特基二极管 [P]. 
朱继红 ;
蔺增金 ;
赵小瑞 ;
张志文 .
中国专利 :CN207381410U ,2018-05-18
[8]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757A ,2025-07-22
[9]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757B ,2025-08-29
[10]
一种具有异质结的结势垒肖特基器件 [P]. 
李茂宾 .
中国专利 :CN113675279A ,2021-11-19