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一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件
被引：0
申请号：
CN202220118055.2
申请日：
2022-01-17
公开(公告)号：
CN216793696U
公开(公告)日：
2022-06-21
发明(设计)人：
于霄恬
申请人：
申请人地址：
314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）8号楼201-12
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716
代理人：
董延丽
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-06-21 | 授权 | 授权 |