共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
集成结势垒肖特基二极管的沟槽型MOSFET器件及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310502237.9
申请日：
2023-05-06
公开(公告)号：
CN116598359B
公开(公告)日：
2024-04-19
发明(设计)人：
于霄恬
申请人：
海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请人地址：
314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）8号楼201-12
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/336
代理机构：
杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289
代理人：
田金霞
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省
嘉兴市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-19 | 授权 | 授权 |