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集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件

被引：0
申请号：
CN202220117251.8
申请日：
2022-01-17
公开(公告)号：
CN217847964U
公开(公告)日：
2022-11-18
发明(设计)人：
于霄恬
申请人：
申请人地址：
314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）8号楼201-12
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2910 H01L2706
代理机构：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716
代理人：
吴绍群
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-18 授权 授权
共 50 条
[1]
集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN217306514U ,2022-08-26
[2]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN120826994A ,2025-10-21
[3]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757A ,2025-07-22
[4]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757B ,2025-08-29
[5]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118872078A ,2024-10-29
[6]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118318310A ,2024-07-09
[7]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
M·D·邱吉 ;
A·宼尼斯基 ;
L·G·皮尔斯 ;
M·R·杰恩 .
中国专利 :CN101681840A ,2010-03-24
[8]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118872077A ,2024-10-29
[9]
集成结势垒肖特基二极管的沟槽型MOSFET器件及制造方法 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN116598359B ,2024-04-19
[10]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN216793696U ,2022-06-21
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