LED器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910308039.9

申请日：

2009-09-30

公开(公告)号：

CN101667629A

公开(公告)日：

2010-03-10

发明(设计)人：

高昕伟

申请人：

申请人地址：

610041四川省成都市高新区天府大道南延线高新孵化园8号楼

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5152 H01L5156 H01L3300

代理机构：

成都虹桥专利事务所

代理人：

蒲敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	授权	授权
2021-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20090930 授权公告日:20111102 终止日期:20200930
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001300913 IPC(主分类):H01L 51/50 专利申请号:2009103080399 申请日:20090930
2010-03-10	公开	公开

共 50 条

[1]

LED器件及其制造方法 [P].

菅野秀千 .

中国专利 :CN107275467A ,2017-10-20

[2]

有机电致发光器件及其制造方法 [P].

神野浩 ;

米田清 ;

西村和树 ;

浜田祐次 .

中国专利 :CN1501751A ,2004-06-02

[3]

微型RGB-LED器件及其制造方法 [P].

汪恒青 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115662982A ,2023-01-31

[4]

高压LED器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102339913B ,2012-02-01

[5]

高压LED器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 ;

程蒙召 .

中国专利 :CN102368516A ,2012-03-07

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

和泉宇俊 ;

斋藤仁 ;

佐次田直也 ;

西乡薰 ;

永井孝一 .

中国专利 :CN1714452A ,2005-12-28

[7]

LED外延结构及其制造方法、LED器件 [P].

杨静雯 ;

冯中山 .

中国专利 :CN114038966A ,2022-02-11

[8]

LED外延结构及其制造方法、LED器件 [P].

杨静雯 ;

冯中山 .

中国专利 :CN114038967A ,2022-02-11

[9]

LED外延结构及其制造方法、LED器件 [P].

孙威威 .

中国专利 :CN117976784A ,2024-05-03

[10]

LED器件制造方法 [P].

洪承珉 ;

李秀镇 .

中国专利 :CN102263189A ,2011-11-30

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