半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810092211.7

申请日：

2008-04-17

公开(公告)号：

CN101290936A

公开(公告)日：

2008-10-22

发明(设计)人：

张炳琸

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	授权	授权
2014-06-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582809645 IPC(主分类):H01L 27/088 专利号:ZL2008100922117 申请日:20080417 授权公告日:20120321 终止日期:20130417
2008-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村勝光 ;

楠茂 ;

中村秀城 .

中国专利 :CN1268003C ,2003-07-16

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井永贵 ;

加藤浩朗 .

中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

北岛裕一郎 ;

吉野英生 .

中国专利 :CN101651104A ,2010-02-17

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

及川贵弘 .

中国专利 :CN101714538A ,2010-05-26

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN103531589A ,2014-01-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴小莉 ;

许丹 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN101996994B ,2011-03-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

工藤弘仪 ;

守屋太郎 .

中国专利 :CN107195679A ,2017-09-22

[10]

半导体器件及其制造方法和半导体器件制造工艺评价方法 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1306586C ,2005-02-02

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