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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN01809999.8
申请日：
2001-02-01
公开(公告)号：
CN1268003C
公开(公告)日：
2003-07-16
发明(设计)人：
中村勝光
楠茂
中村秀城
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
刘宗杰;叶恺东
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2006-08-02 | 授权 | 授权 |
| 2003-07-16 | 公开 | 公开 |
| 2003-10-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2021-02-23 | 专利权的终止 | 专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20010201 授权公告日:20060802 |