聚合稠合噻吩半导体制剂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180031728.5

申请日：

2011-05-23

公开(公告)号：

CN103080226B

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

贺明谦李剑锋林仁杰 J·R·马修斯钮渭钧 M·L·索伦森 L·C·格拉斯高 D·N·齐塞尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

C08L6500

IPC分类号：

C09D11102 C09D1130 H01B112

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

沙永生

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	授权	授权
2013-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体稠合噻吩聚合物油墨制剂 [P].

贺明谦 ;

J·R·马修斯 .

中国专利 :CN104703685B ,2015-06-10

[2]

有机半导体制剂 [P].

T·卡尔 ;

M·卡拉斯克-奥罗兹可 .

中国专利 :CN103748703B ,2014-04-23

[3]

稠合二噻吩并噻吩衍生物和其用作有机半导体的用途 [P].

W·米切尔 ;

M·德拉瓦里 ;

王常胜 .

中国专利 :CN109328189A ,2019-02-12

[4]

稠合的二噻吩共聚物 [P].

M·迪格利 ;

R·里格尔 ;

K·米伦 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

D·贝克曼 .

中国专利 :CN102834945A ,2012-12-19

[5]

并苯噻吩半导体 [P].

克里斯多佛·P·格拉赫 .

中国专利 :CN1835941B ,2006-09-20

[6]

有机半导体制剂及其应用 [P].

颜河 ;

赵靖波 .

中国专利 :CN108431077A ,2018-08-21

[7]

制备稠合噻吩的方法 [P].

贺明谦 ;

胡婕妤 ;

J·R·马修斯 ;

钮渭钧 .

中国专利 :CN103025742B ,2013-04-03

[8]

稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途 [P].

耿延候 ;

田洪坤 ;

史建武 .

中国专利 :CN1807428A ,2006-07-26

[9]

稠合噻吩化合物 [P].

凯尔·W·H·程 ;

阿帕瑞吉塔·荷思可特·克瑞西亚 ;

保罗·E·艾德曼 ;

方黎 ;

法兰克·默库里奥 ;

罗伯特·沙利文 .

美国专利 :CN112601751B ,2024-04-02

[10]

硼酯稠合噻吩单体 [P].

贺明谦 ;

J·R·马修斯 ;

钮渭钧 ;

A·L·华莱士 .

中国专利 :CN105829325A ,2016-08-03

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