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激光烧蚀装置和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201780068659.2
申请日
:
2017-10-20
公开(公告)号
:
CN109937269A
公开(公告)日
:
2019-06-25
发明(设计)人
:
V.克科宁
M.西尔塔宁
申请人
:
申请人地址
:
芬兰坦佩雷
IPC主分类号
:
C23C1428
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王增强
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-25
授权
授权
2019-06-25
公开
公开
2019-07-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/28 申请日:20171020
共 50 条
[1]
进行激光烧蚀的方法和装置
[P].
A·N·布伦顿
论文数:
0
引用数:
0
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0
A·N·布伦顿
.
中国专利
:CN113523579A
,2021-10-22
[2]
激光烧蚀
[P].
彼得·巴林
论文数:
0
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0
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0
彼得·巴林
.
中国专利
:CN1478007A
,2004-02-25
[3]
激光烧蚀系统
[P].
A·V·洛博达
论文数:
0
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0
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0
A·V·洛博达
.
中国专利
:CN109791868A
,2019-05-21
[4]
交错激光烧蚀
[P].
K·L·吉林斯
论文数:
0
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0
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0
K·L·吉林斯
.
中国专利
:CN211661335U
,2020-10-13
[5]
激光烧蚀单元
[P].
德特勒夫·巩特尔
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0
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德特勒夫·巩特尔
;
丹尼尔·格罗利蒙德
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丹尼尔·格罗利蒙德
;
浩·王
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浩·王
.
中国专利
:CN105324832A
,2016-02-10
[6]
激光烧蚀Al-PTFE反应材料的烧蚀深度和温度分布预测方法
[P].
吴建军
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吴建军
;
欧阳
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欧阳
;
张宇
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张宇
;
王墨戈
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王墨戈
;
李健
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李健
;
郑鹏
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郑鹏
;
胡泽军
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胡泽军
;
赵元政
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赵元政
;
李宇奇
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李宇奇
.
中国专利
:CN115015313A
,2022-09-06
[7]
激光烧蚀抗蚀剂
[P].
S·E·飞利普
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0
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S·E·飞利普
;
T·J·崔威尔
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T·J·崔威尔
;
L·W·塔特
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L·W·塔特
;
G·T·皮尔斯
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G·T·皮尔斯
;
K·恩古颜
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K·恩古颜
;
R·M·威克勒
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0
R·M·威克勒
.
中国专利
:CN101454720B
,2009-06-10
[8]
激光烧蚀Al-PTFE反应材料的烧蚀深度和温度分布预测方法
[P].
论文数:
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机构:
吴建军
;
论文数:
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机构:
欧阳
;
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机构:
张宇
;
论文数:
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机构:
王墨戈
;
论文数:
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机构:
李健
;
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机构:
郑鹏
;
胡泽军
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机构:
中国人民解放军国防科技大学
中国人民解放军国防科技大学
胡泽军
;
论文数:
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机构:
赵元政
;
论文数:
引用数:
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机构:
李宇奇
.
中国专利
:CN115015313B
,2024-05-10
[9]
激光烧蚀机
[P].
谢大浪
论文数:
0
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
谢大浪
;
黄运
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
黄运
;
郑新民
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
郑新民
;
吕晨曦
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
吕晨曦
;
江军
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
江军
;
张伟胜
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
张伟胜
;
尹建刚
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
尹建刚
;
唐建刚
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
唐建刚
.
中国专利
:CN309485717S
,2025-09-09
[10]
激光烧蚀装置和制造显示设备的方法
[P].
金俊亨
论文数:
0
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金俊亨
;
蔡永洙
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蔡永洙
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金佑玹
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金佑玹
;
李承俊
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李承俊
.
中国专利
:CN110893508A
,2020-03-20
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