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一种常关型氮化镓HEMT器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810548753.4
申请日
:
2018-05-31
公开(公告)号
:
CN108649065A
公开(公告)日
:
2018-10-12
发明(设计)人
:
夏远洋
李亦衡
朱廷刚
申请人
:
申请人地址
:
215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29778
H01L21335
代理机构
:
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
:
孙仿卫
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-11-06
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180531
2018-10-12
公开
公开
共 50 条
[1]
一种常关型氮化镓HEMT器件
[P].
夏远洋
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夏远洋
;
李亦衡
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李亦衡
;
朱廷刚
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朱廷刚
.
中国专利
:CN208781852U
,2019-04-23
[2]
一种常闭型氮化镓HEMT器件
[P].
李亦衡
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机构:
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司
李亦衡
;
张葶葶
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机构:
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司
张葶葶
;
朱廷刚
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机构:
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司
朱廷刚
;
夏远洋
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机构:
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司
夏远洋
.
中国专利
:CN108493245B
,2024-03-26
[3]
一种常闭型氮化镓HEMT器件
[P].
李亦衡
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李亦衡
;
张葶葶
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张葶葶
;
朱廷刚
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朱廷刚
;
夏远洋
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夏远洋
.
中国专利
:CN108493245A
,2018-09-04
[4]
一种常闭型氮化镓HEMT器件
[P].
李亦衡
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李亦衡
;
张葶葶
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张葶葶
;
朱廷刚
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朱廷刚
;
夏远洋
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夏远洋
.
中国专利
:CN208797007U
,2019-04-26
[5]
一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件
[P].
李亦衡
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李亦衡
;
张葶葶
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张葶葶
;
朱廷刚
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朱廷刚
;
朱友华
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朱友华
.
中国专利
:CN108899367A
,2018-11-27
[6]
一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
王梓霖
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王梓霖
;
王敬
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王敬
;
赵清
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赵清
;
单卫平
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单卫平
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赵海明
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赵海明
;
钮应喜
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钮应喜
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袁松
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袁松
;
张晓洪
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张晓洪
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左万胜
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左万胜
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钟敏
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钟敏
;
史田超
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史田超
.
中国专利
:CN114284340A
,2022-04-05
[7]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
陈兴
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机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
陈兴
;
黄永
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机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
黄永
.
中国专利
:CN119317144A
,2025-01-14
[8]
一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法
[P].
王东
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王东
;
吴勇
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吴勇
;
陈兴
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陈兴
;
汪琼
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汪琼
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陆俊
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陆俊
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何滇
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何滇
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严伟伟
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严伟伟
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曾文秀
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曾文秀
;
张进成
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张进成
.
中国专利
:CN110867488A
,2020-03-06
[9]
氮化镓HEMT器件的外延制备方法
[P].
石以瑄
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石以瑄
;
韩露
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合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
韩露
;
林平澜
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
林平澜
;
石鹏环
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机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石鹏环
.
中国专利
:CN119894025A
,2025-04-25
[10]
一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
[P].
刘新科
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刘新科
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林峰
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林峰
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利键
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利键
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陈勇
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陈勇
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王磊
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王磊
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黎晓华
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黎晓华
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贺威
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贺威
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俞文杰
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俞文杰
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吕有明
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吕有明
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韩舜
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韩舜
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曹培江
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曹培江
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柳文军
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柳文军
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曾玉祥
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曾玉祥
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朱德亮
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朱德亮
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中国专利
:CN112086362A
,2020-12-15
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