一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911187312.7

申请日：

2019-11-28

公开(公告)号：

CN110867488A

公开(公告)日：

2020-03-06

发明(设计)人：

王东吴勇陈兴汪琼陆俊何滇严伟伟曾文秀张进成

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2951 H01L21335

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20200306
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20191128
2020-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高压氮化镓功率器件结构及其制备方法 [P].

吴勇 ;

陈兴 ;

王东 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110890423A ,2020-03-17

[2]

一种氮化镓功率器件结构及其制备方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110854193A ,2020-02-28

[3]

一种氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

陈兴 ;

黄永 .

中国专利 :CN119317144A ,2025-01-14

[4]

一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制备方法 [P].

王东 ;

陈兴 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659363A ,2019-04-19

[5]

一种氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

崔鹏 ;

罗鑫 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN117613082A ,2024-02-27

[6]

一种氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

崔鹏 ;

罗鑫 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN117613082B ,2024-09-06

[7]

一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法 [P].

汪琼 ;

穆潘潘 ;

吴勇 ;

王东 ;

陈兴 ;

陆俊 ;

黄永 ;

季亚军 ;

孙凯 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN112713190B ,2021-04-27

[8]

一种氮化镓HEMT器件结构及制作方法 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

郑宝玉 ;

杜高云 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119342861A ,2025-01-21

[9]

一种基于氮化镓功率HEMT结构低欧姆接触电阻的结构及其制作方法 [P].

陈兴 ;

王东 ;

吴勇 ;

张进成 ;

何滇 ;

伍旭东 ;

檀生辉 ;

卫祥 ;

张金生 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109659362A ,2019-04-19

[10]

氮化镓HEMT器件结构 [P].

程海英 ;

周泽阳 .

中国专利 :CN216871976U ,2022-07-01

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