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一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011603997.1
申请日
:
2020-12-29
公开(公告)号
:
CN112713190B
公开(公告)日
:
2021-04-27
发明(设计)人
:
汪琼
穆潘潘
吴勇
王东
陈兴
陆俊
黄永
季亚军
孙凯
操焰
崔傲
袁珂
陈军飞
张进成
申请人
:
申请人地址
:
241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L21335
代理机构
:
芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138
代理人
:
房文亮
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-27
公开
公开
2021-05-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201229
2022-05-03
授权
授权
共 50 条
[1]
一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法
[P].
王东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王东
;
吴勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴勇
;
陈兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈兴
;
汪琼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
汪琼
;
陆俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陆俊
;
何滇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何滇
;
严伟伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
严伟伟
;
曾文秀
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾文秀
;
张进成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张进成
.
中国专利
:CN110867488A
,2020-03-06
[2]
氮化镓HEMT器件结构
[P].
程海英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程海英
;
周泽阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周泽阳
.
中国专利
:CN216871976U
,2022-07-01
[3]
一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件
[P].
李亦衡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李亦衡
;
张葶葶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张葶葶
;
朱廷刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱廷刚
;
朱友华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱友华
.
中国专利
:CN109037153A
,2018-12-18
[4]
一种氮化镓HEMT器件结构
[P].
何清源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
何清源
.
中国专利
:CN120640726A
,2025-09-12
[5]
氮化镓HEMT器件的外延制备方法
[P].
石以瑄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石以瑄
;
韩露
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
韩露
;
林平澜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
林平澜
;
石鹏环
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥昆仑芯星半导体有限公司
合肥昆仑芯星半导体有限公司
石鹏环
.
中国专利
:CN119894025A
,2025-04-25
[6]
一种耐受功率氮化镓HEMT器件结构及其制备方法
[P].
刘志宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
刘志宏
;
索淑怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
索淑怡
;
惠安特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
惠安特
;
魏宇君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
魏宇君
;
周瑾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
周瑾
;
冯欣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
冯欣
;
邢伟川
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
邢伟川
;
张进成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
张进成
;
郝跃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学广州研究院
郝跃
.
中国专利
:CN121038314A
,2025-11-28
[7]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
崔鹏
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗鑫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
韩吉胜
;
汉多科·林纳威赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东大学
山东大学
汉多科·林纳威赫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐现刚
.
中国专利
:CN117613082A
,2024-02-27
[8]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
黄汇钦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄汇钦
;
吴龙江
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴龙江
;
曾健忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾健忠
.
中国专利
:CN115458582A
,2022-12-09
[9]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
崔鹏
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗鑫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
韩吉胜
;
汉多科·林纳威赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东大学
山东大学
汉多科·林纳威赫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐现刚
.
中国专利
:CN117613082B
,2024-09-06
[10]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
陈兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
陈兴
;
黄永
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
黄永
.
中国专利
:CN119317144A
,2025-01-14
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