一种氮化镓HEMT器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510750172.9

申请日：

2025-06-06

公开(公告)号：

CN120640726A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

何清源

申请人：

深圳镓楠半导体科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市坪山区坪山街道和平社区启运西路19号华瀚科技工业园厂房2栋201-A85

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/00

代理机构：

苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366

代理人：

周子轶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	公开	公开
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250606

共 50 条

[1]

氮化镓HEMT器件结构 [P].

程海英 ;

周泽阳 .

中国专利 :CN216871976U ,2022-07-01

[2]

一种常闭型氮化镓HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN108493245B ,2024-03-26

[3]

一种常闭型氮化镓HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN108493245A ,2018-09-04

[4]

一种常闭型氮化镓HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN208797007U ,2019-04-26

[5]

一种常关型氮化镓HEMT器件 [P].

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN208781852U ,2019-04-23

[6]

一种增强型氮化镓HEMT器件结构 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101312207A ,2008-11-26

[7]

一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法 [P].

王东 ;

吴勇 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

陆俊 ;

何滇 ;

严伟伟 ;

曾文秀 ;

张进成 .

中国专利 :CN110867488A ,2020-03-06

[8]

氮化镓HEMT器件的外延制备方法 [P].

石以瑄 ;

韩露 ;

林平澜 ;

石鹏环 .

中国专利 :CN119894025A ,2025-04-25

[9]

一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

朱友华 .

中国专利 :CN108899367A ,2018-11-27

[10]

一种氮化镓MIS-HEMT器件结构 [P].

王锋 ;

胡坤怀 ;

张秀敏 ;

杜高云 ;

郑宝玉 ;

李宏磊 ;

黄慧诗 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119486188A ,2025-02-18

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