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一种超低功耗半导体功率器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811507476.9
申请日：
2018-12-11
公开(公告)号：
CN109378344A
公开(公告)日：
2019-02-22
发明(设计)人：
丁磊
侯宏伟
申请人：
申请人地址：
215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
南京天华专利代理有限责任公司 32218
代理人：
夏平
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-02-22 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181211 |