一种超低功耗半导体功率器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610296881.5

申请日：

2016-05-06

公开(公告)号：

CN105914230A

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

侯宏伟丁磊

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21027 H01L2128 H01L21336

代理机构：

无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259

代理人：

张玉平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	公开	公开
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680683118 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2016102968815 申请日:20160506

共 50 条

[1]

超低功耗半导体功率器件及制备方法 [P].

侯宏伟 ;

丁磊 .

中国专利 :CN105895671A ,2016-08-24

[2]

超低功耗半导体功率器件 [P].

侯宏伟 ;

丁磊 .

中国专利 :CN205564758U ,2016-09-07

[3]

一种超低功耗半导体功率器件 [P].

侯宏伟 ;

丁磊 .

中国专利 :CN205564757U ,2016-09-07

[4]

一种超低功耗半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN209029387U ,2019-06-25

[5]

一种超低功耗半导体功率器件及其制备方法 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN109378344A ,2019-02-22

[6]

一种低功耗半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

顾挺 .

中国专利 :CN216648319U ,2022-05-31

[7]

一种低功耗半导体功率器件及其制备方法 [P].

丁磊 ;

顾挺 .

中国专利 :CN114242784A ,2022-03-25

[8]

一种超低功耗半导体功率器件 [P].

张华 ;

毛维松 .

中国专利 :CN211980577U ,2020-11-20

[9]

一种超低功耗半导体功率器件 [P].

葛晋 .

中国专利 :CN221508158U ,2024-08-09

[10]

一种超低功耗半导体功率器件 [P].

施捷 ;

刘伟 ;

付强 ;

郏金鹏 ;

胡小明 .

中国专利 :CN114551382A ,2022-05-27

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