制造NAND快闪存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610083683.7

申请日：

2006-06-02

公开(公告)号：

CN100517654C

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

玄灿顺

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-16	公开	公开
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584051998 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2006100836837 申请日:20060602 授权公告日:20090722 终止日期:20130602

共 50 条

[1]

快闪存储器件的制造方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN1988117A ,2007-06-27

[2]

NAND快闪存储器件的制造方法 [P].

李秉起 .

中国专利 :CN101097890A ,2008-01-02

[3]

快闪存储器件的制造方法 [P].

明成桓 ;

金正根 ;

赵挥元 ;

郑哲谟 .

中国专利 :CN100527388C ,2008-01-02

[4]

制造快闪存储器件的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN101174594A ,2008-05-07

[5]

制造快闪存储器件的方法 [P].

金最东 .

中国专利 :CN1971884A ,2007-05-30

[6]

快闪存储器件及其制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101447511A ,2009-06-03

[7]

快闪存储器件及其制造方法 [P].

金东郁 .

中国专利 :CN101211857A ,2008-07-02

[8]

制造快闪存储器件的方法 [P].

朴丙洙 .

中国专利 :CN101154630A ,2008-04-02

[9]

制造快闪存储器件的方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101447422A ,2009-06-03

[10]

制造快闪存储器件的方法 [P].

杨永镐 .

中国专利 :CN101197330A ,2008-06-11

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