制造快闪存储器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN200710129473.1
申请日
2007-07-17
公开(公告)号
CN101154630A
公开(公告)日
2008-04-02
发明(设计)人
朴丙洙
申请人
申请人地址
韩国京畿道利川市
IPC主分类号
H01L218247
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
刘继富;顾晋伟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
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制造快闪存储器件的方法 [P]. 
杨永镐 .
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制造NAND快闪存储器件的方法 [P]. 
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制造快闪存储器件的方法 [P]. 
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制造快闪存储器件的方法 [P]. 
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快闪存储器件的制造方法 [P]. 
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