超低介电常数聚酰亚胺的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710032308.4

申请日：

2007-12-10

公开(公告)号：

CN101186698A

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

赵建青谭麟曾钫刘述梅叶华

申请人：

申请人地址：

510640广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C08G7310

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

李卫东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	公开	公开
2015-03-18	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101711503812 IPC(主分类):C08G 73/10 专利申请号:2007100323084 专利号:ZL2007100323084 合同备案号:2014440000485 让与人:华南理工大学受让人:江门市优巨新材料有限公司发明名称:超低介电常数聚酰亚胺的制备方法申请日:20071210 申请公布日:20080528 授权公告日:20090826 许可种类:独占许可备案日期:20141205
2018-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08G 73/10 申请日:20071210 授权公告日:20090826 终止日期:20171210
2009-08-26	授权	授权
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法 [P].

朱宝库 ;

楚晖娟 ;

张梅 ;

徐又一 .

中国专利 :CN100445322C ,2007-02-14

[2]

一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

马素德 ;

闵忠华 ;

王岩 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN104157630B ,2014-11-19

[3]

超低介电常数、低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

张秋禹 ;

雷星锋 ;

乔明涛 ;

田力冬 .

中国专利 :CN105601964A ,2016-05-25

[4]

一种超低介电常数的微发泡聚酰亚胺层状膜 [P].

徐勇 ;

汤学妹 ;

陈坚 ;

蒋家祥 .

中国专利 :CN117736482A ,2024-03-22

[5]

一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法 [P].

徐哲 ;

刘国隆 ;

解惠东 ;

邵成蒙 .

中国专利 :CN113501985A ,2021-10-15

[6]

低介电常数聚酰亚胺及其制备方法 [P].

宋艳江 ;

刘顺祯 .

中国专利 :CN104530703A ,2015-04-22

[7]

一种超低介电常数的透明聚酰亚胺纳米复合膜及制备方法 [P].

陈风 ;

李欣膂 ;

徐伊凡 ;

刘学清 ;

刘继延 .

中国专利 :CN117362702A ,2024-01-09

[8]

6G用超低介电常数聚酰亚胺材料及其制备方法 [P].

贾叙东 ;

朱唐宋 ;

张秋红 .

中国专利 :CN120683657A ,2025-09-23

[9]

低介电常数的聚酰亚胺的制造方法及聚酰亚胺膜暨其应用 [P].

丘建华 ;

林佳慧 ;

吴俊明 ;

黄黎明 ;

黎伯谦 .

中国专利 :CN107286650A ,2017-10-24

[10]

一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

马文石 ;

邱国荣 ;

张志琳 ;

焦元启 .

中国专利 :CN108794748A ,2018-11-13

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