激光直写技术制备多级结构微阵列的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110009205.2
申请日
2011-01-17
公开(公告)号
CN102096318A
公开(公告)日
2011-06-15
发明(设计)人
于敏 浦东林 耿路峰 陈林森 戴振东
申请人
申请人地址
210016 江苏省南京市白下区御道街29号
IPC主分类号
G03F700
IPC分类号
G03F730 G03F720
代理机构
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
叶连生
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法 [P]. 
周伟家 ;
袁海凤 ;
赵莉莉 ;
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[2]
毫秒激光直写技术合成Ni掺杂FeOOH/NF的制备方法及应用 [P]. 
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冯婷 ;
杜希文 .
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[3]
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[4]
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[5]
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邢飞 ;
郭传飞 ;
刘前 ;
阮双琛 .
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[6]
一种利用激光直写技术构建3D微纳通道结构的方法 [P]. 
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[7]
基于激光直写的多组分掺杂超级电容器电极及其制备方法 [P]. 
周兴汶 ;
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[8]
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栾世奕 ;
桂成群 ;
宋毅 ;
薛兆丰 .
中国专利 :CN114325902A ,2022-04-12
[9]
一种基于激光直写光刻技术的微棱镜阵列制造方法 [P]. 
栾世奕 ;
桂成群 ;
宋毅 ;
薛兆丰 .
中国专利 :CN114325902B ,2024-07-19
[10]
一种激光直写制备纳米微针模板的方法 [P]. 
史强 ;
胡海龙 .
中国专利 :CN111660558A ,2020-09-15