一种单一芯片全桥TMR磁场传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020023750.1

申请日：

2020-01-06

公开(公告)号：

CN212008887U

公开(公告)日：

2020-11-24

发明(设计)人：

刘明关蒙萌胡忠强周子尧朱家训黄豪

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

广东朗乾律师事务所 44291

代理人：

杨焕军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953A ,2020-04-21

[2]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953B ,2025-01-03

[3]

单一芯片桥式磁场传感器 [P].

雷啸锋 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

刘明峰 ;

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202013413U ,2011-10-19

[4]

单一芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

金英西 ;

雷啸锋 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

黎伟 .

中国专利 :CN202421483U ,2012-09-05

[5]

单一芯片桥式磁场传感器 [P].

雷啸锋 ;

薛松生 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

刘明峰 .

中国专利 :CN202494771U ,2012-10-17

[6]

单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法 [P].

何世坤 ;

王耀华 ;

宫俊录 ;

陈明博 .

中国专利 :CN119758200B ,2025-11-21

[7]

单一基片全桥TMR磁场传感器及其制备方法 [P].

何世坤 ;

王耀华 ;

宫俊录 ;

陈明博 .

中国专利 :CN119758200A ,2025-04-04

[8]

一种TMR全桥磁传感器 [P].

刘明 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

毛若皓 ;

关蒙萌 .

中国专利 :CN211180161U ,2020-08-04

[9]

单一芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

金英西 ;

雷啸锋 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

黎伟 .

中国专利 :CN102540112B ,2012-07-04

[10]

TMR全桥磁传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

朱家训 .

中国专利 :CN210487955U ,2020-05-08

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