单一芯片桥式磁场传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120409449.5

申请日：

2011-10-25

公开(公告)号：

CN202494771U

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

雷啸锋薛松生金英西詹姆斯·G·迪克沈卫锋王建国刘明峰

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫;李艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	授权	授权
2013-02-27	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101525193215 IPC(主分类):G01R 33/09 专利号:ZL2011204094495 申请日:20111025 授权公告日:20121017 放弃生效日:20130227

共 50 条

[1]

单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法 [P].

雷啸锋 ;

薛松生 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

刘明峰 .

中国专利 :CN102331564B ,2012-01-25

[2]

单一芯片桥式磁场传感器 [P].

雷啸锋 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

刘明峰 ;

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202013413U ,2011-10-19

[3]

单一芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

金英西 ;

雷啸锋 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

黎伟 .

中国专利 :CN202421483U ,2012-09-05

[4]

单一芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

金英西 ;

雷啸锋 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

黎伟 .

中国专利 :CN102540112B ,2012-07-04

[5]

单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法 [P].

雷啸锋 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

刘明峰 ;

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN102226836A ,2011-10-26

[6]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953A ,2020-04-21

[7]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953B ,2025-01-03

[8]

单一芯片双轴磁场传感器及其制备方法 [P].

雷啸锋 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

刘明峰 ;

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN102226835A ,2011-10-26

[9]

一种单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN212008887U ,2020-11-24

[10]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN102435963B ,2012-05-02

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