单片双轴桥式磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110315913.9

申请日：

2011-10-18

公开(公告)号：

CN102435963B

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

詹姆斯·G·迪克金英西沈卫锋雷啸锋薛松生

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫;李艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-02	公开	公开
2014-06-04	授权	授权
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272515183 IPC(主分类):G01R 33/09 专利申请号:2011103159139 申请日:20111018

共 50 条

[1]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202305777U ,2012-07-04

[2]

单片参考全桥磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

薛松生 ;

王建国 ;

雷啸锋 .

中国专利 :CN202210144U ,2012-05-02

[3]

单片参考全桥磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

薛松生 ;

王建国 ;

雷啸锋 .

中国专利 :CN102621504B ,2012-08-01

[4]

单一芯片桥式磁场传感器 [P].

雷啸锋 ;

薛松生 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

刘明峰 .

中国专利 :CN202494771U ,2012-10-17

[5]

磁场传感器 [P].

W·梅纳特 ;

T·泰尔 .

中国专利 :CN103226000A ,2013-07-31

[6]

单一芯片桥式磁场传感器 [P].

雷啸锋 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

刘明峰 ;

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202013413U ,2011-10-19

[7]

单芯片桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN203337808U ,2013-12-11

[8]

单芯片桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN103267955A ,2013-08-28

[9]

单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法 [P].

雷啸锋 ;

薛松生 ;

金英西 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

刘明峰 .

中国专利 :CN102331564B ,2012-01-25

[10]

单一芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

金英西 ;

雷啸锋 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

黎伟 .

中国专利 :CN202421483U ,2012-09-05

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