磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310032510.2

申请日：

2013-01-28

公开(公告)号：

CN103226000A

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

W·梅纳特 T·泰尔

申请人：

申请人地址：

德国奥托布伦

IPC主分类号：

G01B730

IPC分类号：

G01B700

代理机构：

北京金思港知识产权代理有限公司 11349

代理人：

邵毓琴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720761059 IPC(主分类):G01B 7/30 专利申请号:2013100325102 申请公布日:20130731
2013-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN102435963B ,2012-05-02

[2]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202305777U ,2012-07-04

[3]

磁场传感器 [P].

J-F·兰森 ;

D·施莱夫利 .

中国专利 :CN113574403B ,2021-10-29

[4]

磁场传感器 [P].

奥特马尔·莫德斯特 .

中国专利 :CN100541203C ,2006-11-01

[5]

磁场传感器 [P].

克劳斯·莱曼 ;

罗伯特·范费尔德温 ;

亚普·鲁伊戈罗克 ;

塞尔库克·埃尔索伊 ;

拉尔夫·范奥腾 ;

约尔格·科克 .

中国专利 :CN107102276B ,2017-08-29

[6]

磁场传感器 [P].

原淳一郎 ;

畑中忠太 .

中国专利 :CN1576874A ,2005-02-09

[7]

磁场传感器 [P].

维克托·泽尔恩 ;

罗伯图斯·A·M·沃尔特斯 .

中国专利 :CN101828124A ,2010-09-08

[8]

磁场传感器 [P].

原淳一郎 ;

畑中忠太 .

中国专利 :CN1201164C ,2001-10-31

[9]

磁场传感器 [P].

索鲁什·法拉梅尔 ;

彼得·伊吉奇 .

中国专利 :CN114641700A ,2022-06-17

[10]

磁场传感器和制造磁场传感器的方法 [P].

郑萍 ;

卓荣发 ;

孙永顺 .

中国专利 :CN114563740A ,2022-05-31

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