磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880111859.2

申请日：

2008-10-16

公开(公告)号：

CN101828124A

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

维克托·泽尔恩罗伯图斯·A·M·沃尔特斯

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

G01R3306

IPC分类号：

H01L4306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	公开	公开
2010-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101010886103 IPC(主分类):G01R 33/06 专利申请号:2008801118592 申请日:20081016
2013-12-04	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101547133263 IPC(主分类):G01R 33/06 专利申请号:2008801118592 放弃生效日:20100908

共 50 条

[1]

磁场传感器 [P].

J-F·兰森 ;

D·施莱夫利 .

中国专利 :CN113574403B ,2021-10-29

[2]

磁场传感器 [P].

黄颖 ;

陈忠志 ;

贾晓钦 ;

彭卓 .

中国专利 :CN101937063A ,2011-01-05

[3]

磁场传感器 [P].

罗伯特·亨里克斯·玛格丽塔·范费尔德温 ;

安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼 ;

亚普·鲁伊戈罗克 .

中国专利 :CN102073023A ,2011-05-25

[4]

磁场传感器 [P].

弗德里克·威廉·毛里提斯·范赫蒙特 ;

马克·艾斯勒 ;

安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼 ;

罗伯特斯·亚德里恩斯·玛丽亚·沃特斯 .

中国专利 :CN102147452B ,2011-08-10

[5]

磁场传感器 [P].

W·梅纳特 ;

T·泰尔 .

中国专利 :CN103226000A ,2013-07-31

[6]

磁场传感器 [P].

M.格罗泽 .

中国专利 :CN103529406A ,2014-01-22

[7]

磁场传感器 [P].

T·阿斯利 ;

C·T·埃利奥特 ;

T·J·菲利普斯 .

中国专利 :CN1429342A ,2003-07-09

[8]

磁场传感器 [P].

索鲁什·法拉梅尔 ;

彼得·伊吉奇 .

中国专利 :CN114641700A ,2022-06-17

[9]

用于测量磁场的传感器元件、磁场传感器和用于制造传感器元件的方法 [P].

T.奥姆斯 ;

M.凯克 .

中国专利 :CN102169955A ,2011-08-31

[10]

磁场传感器和制造磁场传感器的方法 [P].

郑萍 ;

卓荣发 ;

孙永顺 .

中国专利 :CN114563740A ,2022-05-31

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