单片参考全桥磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110100226.5

申请日：

2011-04-21

公开(公告)号：

CN102621504B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

詹姆斯·G·迪克金英西沈卫锋薛松生王建国雷啸锋

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329748346 IPC(主分类):G01R 33/09 专利申请号:2011101002265 申请日:20110421
2013-09-04	授权	授权
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

单片参考全桥磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

薛松生 ;

王建国 ;

雷啸锋 .

中国专利 :CN202210144U ,2012-05-02

[2]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN102435963B ,2012-05-02

[3]

单片双轴桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

雷啸锋 ;

薛松生 .

中国专利 :CN202305777U ,2012-07-04

[4]

单芯片桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN103267955A ,2013-08-28

[5]

单芯片桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN203337808U ,2013-12-11

[6]

单芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN203587785U ,2014-05-07

[7]

单芯片推挽桥式磁场传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 .

中国专利 :CN103412269B ,2013-11-27

[8]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953B ,2025-01-03

[9]

单一芯片全桥TMR磁场传感器 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

周子尧 ;

朱家训 ;

黄豪 .

中国专利 :CN111044953A ,2020-04-21

[10]

磁场传感器 [P].

M·莫尔比 ;

M·韦布勒 .

中国专利 :CN100578157C ,2008-03-19

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