金属氧化物薄膜电阻器

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专利类型
发明
申请号
CN96190234.5
申请日
1996-03-28
公开(公告)号
CN1148902A
公开(公告)日
1997-04-30
发明(设计)人
服部章良 堀喜博 池田正树 吉田昭彦 进藤泰宏 五十岚幸造
申请人
申请人地址
日本大阪府门真市
IPC主分类号
H01C700
IPC分类号
代理机构
上海专利商标事务所
代理人
沈昭坤
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
金属氧化物压敏电阻器 [P]. 
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[2]
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[3]
金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P]. 
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[4]
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[6]
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[7]
热保护金属氧化物压敏电阻器 [P]. 
宋东健 ;
陆利兵 .
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[8]
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[9]
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[10]
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萧演敬 .
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