一种碳化硅晶体快速定向方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811282639.8

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN109203266A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

苏双图张洁林武庆赖柏帆

申请人：

申请人地址：

362211 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

IPC主分类号：

B28D700

IPC分类号：

B28D704 B28D504

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B28D 7/00 申请日:20181031
2020-12-22	授权	授权
2019-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备碳化硅晶体的方法及碳化硅晶体 [P].

王明华 ;

曾志鹏 .

中国专利 :CN117385467A ,2024-01-12

[2]

一种碳化硅晶体的制备方法及碳化硅晶体 [P].

方政 ;

马远 ;

潘尧波 ;

薛卫明 .

中国专利 :CN120485956A ,2025-08-15

[3]

一种制备碳化硅晶体的方法及碳化硅晶体 [P].

王明华 ;

曾志鹏 .

中国专利 :CN117385467B ,2024-02-13

[4]

制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体 [P].

西口太郎 .

中国专利 :CN102575383A ,2012-07-11

[5]

碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法 [P].

佐佐木信 .

中国专利 :CN102597339A ,2012-07-18

[6]

碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置 [P].

西口太郎 .

中国专利 :CN102471930A ,2012-05-23

[7]

一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN117265664B ,2024-04-30

[8]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[9]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[10]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

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